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정전용량

Capacitance

팩별 설명

전하를 저장할 수 있는 능력을 나타내는 물리량. 커패시터의 핵심 특성이다.

설명

셀, , 배선 지연을 이해할 때 반복해서 등장하는 기초 개념이다.

DRAM

빠른 읽기·쓰기에 쓰이는 대표적인 휘발성 메모리. 전원이 공급되는 동안에도 저장 전하를 유지하기 위해 주기적인 리프레시가 필요하다.

MOS

금속·산화막·반도체가 이어지는 기본 구조로 MOSFET과 게이트 구조를 이해할 때 중요합니다.

게이트

MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.

은 셀의 작은 정전용량에 전하 상태를 저장해 데이터를 표현한다. 관련 용어: 디램 /

DRAM

빠른 읽기·쓰기에 쓰이는 대표적인 휘발성 메모리. 전원이 공급되는 동안에도 저장 전하를 유지하기 위해 주기적인 리프레시가 필요하다.

게이트 산화막·게이트 절연막

게이트 전극과 반도체 채널 사이를 전기적으로 절연하면서 게이트 전기장이 채널에 영향을 주도록 하는 매우 얇은 절연막 층.

정전용량은 저장 능력이라는 물리량이고 커패시터는 전하를 저장하는 소자다.

빠른 읽기·쓰기에 쓰이는 대표적인 휘발성 메모리. 전원이 공급되는 동안에도 저장 전하를 유지하기 위해 주기적인 리프레시가 필요하다.

금속·산화막·반도체가 이어지는 기본 구조로 MOSFET과 게이트 구조를 이해할 때 중요합니다.

MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.