계산 리소그래피
Computational Lithography
계산 모델을 이용해 나 조건을 보정하여 목표 을 더 정확히 만드는 방법입니다.
포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
용어 상세 ↗레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.
용어 상세 ↗회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗