설명
GAA는 이후의 미세화 구조로 활용되며, 나노시트처럼 가 을 여러 면에서 감싸는 형태가 대표적이다.
채널을 얇은 핀 형태로 세우고 게이트가 핀의 여러 면을 감싸 평면형 MOSFET보다 채널 정전기적 제어를 개선한 3D 트랜지스터 구조.
용어 상세 ↗MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.
용어 상세 ↗소스와 드레인 사이에서 게이트 전기장에 의해 캐리어 흐름이 제어되는 트랜지스터의 전도 경로.
용어 상세 ↗예시
nanosheet 전체를 가 둘러싸 - 를 더 정밀하게 제어한다.
관련 용어: / 채널
소스와 드레인 사이에서 게이트 전기장에 의해 캐리어 흐름이 제어되는 트랜지스터의 전도 경로.
용어 상세 ↗MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.
용어 상세 ↗MOSFET 채널의 한쪽 단자로, 소자 편향에 따라 캐리어가 채널로 공급되는 쪽으로 정의된다.
용어 상세 ↗MOSFET 채널의 소스 반대쪽 단자로, 소자가 동작할 때 채널을 통과한 전류가 연결되는 단자.
용어 상세 ↗전하가 이동하는 흐름. 회로에서 얼마나 많은 전하가 흐르는지를 나타내며 단위는 암페어(A)다.
용어 상세 ↗채널을 얇은 핀 형태로 세우고 게이트가 핀의 여러 면을 감싸 평면형 MOSFET보다 채널 정전기적 제어를 개선한 3D 트랜지스터 구조.
용어 상세 ↗구분
GAA는 특정 회사의 제품명 하나가 아니라 가 을 둘러싸는 구조 계열을 뜻한다.
MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.
용어 상세 ↗소스와 드레인 사이에서 게이트 전기장에 의해 캐리어 흐름이 제어되는 트랜지스터의 전도 경로.
용어 상세 ↗전기 신호를 증폭하거나 스위칭하는 반도체 소자. 디지털 IC에서는 매우 많은 트랜지스터가 논리 동작을 만든다.
용어 상세 ↗