이온주입 도즈

Ion Implant Dose

Implant Dose

의 단위 면적당 주입되는 이온의 총량을 나타내는 주입 파라미터.

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

설명

도즈는 도펀트 농도와 전기적 활성화에 큰 영향을 주며 와는 별도 축으로 관리된다.

이온주입 에너지

이온주입 장비에서 도펀트 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속할 때 부여하는 운동에너지 파라미터로, 주입 깊이 분포에 큰 영향을 준다.

같은 이온 종류와 에너지에서 도즈를 높이면 단위면적당 더 많은 도펀트 이온이 주입되는 방향이다. 관련 용어: /

이온주입 에너지

이온주입 장비에서 도펀트 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속할 때 부여하는 운동에너지 파라미터로, 주입 깊이 분포에 큰 영향을 준다.

도펀트·불순물 첨가원소

반도체의 캐리어 농도와 전기적 성질을 의도적으로 바꾸기 위해 넣는 불순물 원자.

이온주입 도즈는 얼마나 많은 이온을 넣는가이고 는 이온을 얼마나 높은 에너지로 가속하는가다.

이온주입 에너지

이온주입 장비에서 도펀트 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속할 때 부여하는 운동에너지 파라미터로, 주입 깊이 분포에 큰 영향을 준다.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

이온주입 장비에서 도펀트 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속할 때 부여하는 운동에너지 파라미터로, 주입 깊이 분포에 큰 영향을 준다.

반도체의 캐리어 농도와 전기적 성질을 의도적으로 바꾸기 위해 넣는 불순물 원자.