설명
과 의 핵심 발전은 가 채널을 더 많이 감싸 정전기적 제어를 개선하는 방향이다.
채널을 얇은 핀 형태로 세우고 게이트가 핀의 여러 면을 감싸 평면형 MOSFET보다 채널 정전기적 제어를 개선한 3D 트랜지스터 구조.
용어 상세 ↗게이트가 나노시트나 나노리본 형태의 채널을 사방에서 둘러싸 채널을 더 정밀하게 제어하는 트랜지스터 구조.
용어 상세 ↗MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.
용어 상세 ↗예시
이 채널 상태를 바꾸면 와 사이 가 달라진다.
관련 용어: 게이트 / 소스 / 드레인 /
MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.
용어 상세 ↗두 지점 사이의 전기적 전위차. 전류가 흐르도록 만드는 구동 조건으로 이해할 수 있으며 단위는 볼트(V)다.
용어 상세 ↗MOSFET 채널의 한쪽 단자로, 소자 편향에 따라 캐리어가 채널로 공급되는 쪽으로 정의된다.
용어 상세 ↗MOSFET 채널의 소스 반대쪽 단자로, 소자가 동작할 때 채널을 통과한 전류가 연결되는 단자.
용어 상세 ↗전하가 이동하는 흐름. 회로에서 얼마나 많은 전하가 흐르는지를 나타내며 단위는 암페어(A)다.
용어 상세 ↗채널을 얇은 핀 형태로 세우고 게이트가 핀의 여러 면을 감싸 평면형 MOSFET보다 채널 정전기적 제어를 개선한 3D 트랜지스터 구조.
용어 상세 ↗구분
채널은 캐리어가 흐르는 영역이고 /은 그 양 끝 단자이다.
MOSFET 채널의 한쪽 단자로, 소자 편향에 따라 캐리어가 채널로 공급되는 쪽으로 정의된다.
용어 상세 ↗MOSFET 채널의 소스 반대쪽 단자로, 소자가 동작할 때 채널을 통과한 전류가 연결되는 단자.
용어 상세 ↗