퍼니스·열처리로

Semiconductor Furnace

Furnace

여러 를 제어된 온도와 분위기에서 배치로 처리하는 열 공정 장비. , , 어닐, 등에 사용된다.

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

용어 상세

산화

실리콘 웨이퍼 표면에 산소 또는 수증기와 반응시켜 이산화실리콘(SiO₂) 산화막을 형성하는 공정.

용어 상세

확산

열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.

용어 상세

LPCVD

낮은 압력에서 진행하는 CVD 방식으로 비교적 균일한 막을 형성하는 데 사용됩니다.

용어 상세

설명

퍼니스는 높은 의 배치 열 장비라는 점과 의 짧은 단일 열처리와 대비해 이해한다.

생산성

투입한 시간·장비·인력·자원 대비 얼마나 많은 유효 생산 출력을 얻는지를 나타내는 효율 개념.

용어 상세

RTP

웨이퍼를 빠르게 가열하고 냉각해 짧은 시간에 열처리하는 공정 방식입니다.

용어 상세

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

용어 상세

예시

수직 퍼니스에 여러 를 적재해 나 공정을 동시에 수행한다. 관련 용어: / 산화 / 확산 /

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

용어 상세

산화

실리콘 웨이퍼 표면에 산소 또는 수증기와 반응시켜 이산화실리콘(SiO₂) 산화막을 형성하는 공정.

용어 상세

확산

열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.

용어 상세

어닐·열처리

재료를 일정한 온도 이력으로 가열해 결정 손상을 회복하거나 도펀트를 활성화하고 물성·전기적 특성을 변화시키는 열처리.

용어 상세

LPCVD

낮은 압력에서 진행하는 CVD 방식으로 비교적 균일한 막을 형성하는 데 사용됩니다.

용어 상세

구분

퍼니스는 장비이고 어닐, , 은 그 장비에서 수행할 수 있는 공정들이다.

산화

실리콘 웨이퍼 표면에 산소 또는 수증기와 반응시켜 이산화실리콘(SiO₂) 산화막을 형성하는 공정.

용어 상세

확산

열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.

용어 상세

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

산화

실리콘 웨이퍼 표면에 산소 또는 수증기와 반응시켜 이산화실리콘(SiO₂) 산화막을 형성하는 공정.

확산

열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.

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