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문턱전압

Threshold voltage

VGS(th)

문턱전압은 데이터시트가 정한 작은 드레인 전류가 흐르기 시작하는 조건이다.

게이트·소스 전압

게이트·소스 전압 VGS는 MOSFET 구동 상태를 결정하는 두 단자 사이 전압이다.

설명

문턱전압을 넘었다고 부하 전류에서 충분히 낮은 저항이 확보되는 것은 아니다. 필요한 구동 전압은 이 보증된 조건 등을 확인한다.

온저항

온저항 RDS(on)은 켜진 MOSFET의 드레인·소스 경로를 저항으로 나타낸 값이다.

문턱전압 2 V라는 가상 항목만 보고 2.5 V 신호로 큰 전류를 흘릴 수 있다고 결론 내리면 안 된다. 시험 전류와 보증 조건이 다르다.

온저항

온저항 RDS(on)은 켜진 MOSFET의 드레인·소스 경로를 저항으로 나타낸 값이다.

문턱전압은 완전 도통 보증 전압이 아니다.

게이트·소스 전압 VGS는 MOSFET 구동 상태를 결정하는 두 단자 사이 전압이다.

온저항 RDS(on)은 켜진 MOSFET의 드레인·소스 경로를 저항으로 나타낸 값이다.

전력전자는 반도체 소자를 이용해 전기에너지의 형태와 흐름을 변환·제어하는 기술이다.