트리플레벨셀

Triple-Level Cell

TLC

한 셀에 3 비트를 저장해 여덟 가지 전하/임계값 상태를 구분하는 방식.

NAND Flash

전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 비휘발성 flash 메모리로, 셀이 직렬 구조로 연결되어 대용량 저장에 널리 쓰인다.

설명

보다 비트 밀도가 높아 소비자용 와 대용량 저장장치에서 널리 사용되지만 프로그램/read 마진 관리가 더 복잡하다.

MLC

일반적인 NAND 제품 문맥에서 한 메모리 셀에 2 비트를 저장해 네 가지 상태를 구분하는 방식.

SSD

반도체 메모리를 저장 매체로 사용하는 비휘발성 대용량 저장장치. 일반적으로 NAND Flash가 핵심 저장 매체다.

한 TLC 셀은 3 비트를 저장하므로 8개의 서로 다른 상태를 구분해야 한다. 관련 용어: /

MLC

일반적인 NAND 제품 문맥에서 한 메모리 셀에 2 비트를 저장해 네 가지 상태를 구분하는 방식.

쿼드레벨셀

NAND Flash 한 셀에 4 비트를 저장해 16개의 임계값 상태를 구분하는 고밀도 저장 방식.

TLC의 이름에 수준이 들어가지만 실제로는 3개의 수준이 아니라 3 비트/셀, 즉 8개 상태를 의미한다.

전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 비휘발성 flash 메모리로, 셀이 직렬 구조로 연결되어 대용량 저장에 널리 쓰인다.

일반적인 NAND 제품 문맥에서 한 메모리 셀에 2 비트를 저장해 네 가지 상태를 구분하는 방식.

반도체 메모리를 저장 매체로 사용하는 비휘발성 대용량 저장장치. 일반적으로 NAND Flash가 핵심 저장 매체다.