웨이퍼 직경
Wafer Diameter
의 크기를 나타내는 지름. 제조에서는 150 mm, 200 mm, 300 mm 등 직경 규격이 사용된다.
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 물질. 산업 문맥에서는 이런 물질로 만든 IC와 관련 기술·산업까지 넓게 가리키기도 한다.
용어 상세 ↗설명
같은 크기라면 큰 직경의 에서 더 많은 다이를 배치할 수 있어 ·원가와 연결된다.
웨이퍼 위에 만들어진 개별 집적회로 단위. 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱하면 각각의 다이로 분리된다.
용어 상세 ↗여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗투입한 시간·장비·인력·자원 대비 얼마나 많은 유효 생산 출력을 얻는지를 나타내는 효율 개념.
용어 상세 ↗예시
300 mm 는 직경이 300 mm인 원형 웨이퍼를 뜻한다.
관련 용어: 웨이퍼 / /
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗웨이퍼 위에 만들어진 개별 집적회로 단위. 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱하면 각각의 다이로 분리된다.
용어 상세 ↗특정 반도체 기술 세대에서 트랜지스터·배선 구조와 이를 만드는 공정 규칙·단계를 묶어 부르는 기술 플랫폼.
용어 상세 ↗구분
직경은 공정 미세선폭이나 를 뜻하지 않는다.
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗특정 반도체 기술 세대에서 트랜지스터·배선 구조와 이를 만드는 공정 규칙·단계를 묶어 부르는 기술 플랫폼.
용어 상세 ↗