14,652개 용어
Capacitance
전하를 저장할 수 있는 능력을 나타내는 물리량. 커패시터의 핵심 특성이다.
Diode
정류 특성을 이용해 전류 방향을 제어하는 대표적인 2단자 반도체 소자.
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
MOSFET은 게이트 전압으로 반도체의 채널 전류를 조절하는 전계효과 트랜지스터이다.
Process Node
특정 반도체 기술 세대에서 트랜지스터·배선 구조와 이를 만드는 공정 규칙·단계를 묶어 부르는 기술 플랫폼.
Critical Dimension
CD는 소자나 배선의 기능에 중요한 선폭·구멍 지름 등 관리 대상 치수이다.
Front End of Line
FEOL은 웨이퍼에 트랜지스터 등 소자의 기본 구조를 형성하는 공정 영역이다.
Middle of Line
MOL은 소자의 단자와 상부 배선 사이를 잇는 콘택트·국부 접속 구조를 형성하는 공정 영역이다.
Back End of Line
BEOL은 소자들을 연결하는 다층 금속배선과 층간 절연 구조를 형성하는 공정 영역이다.
Layer
칩을 구성하는 여러 재료·패턴이 수직으로 쌓인 한 단계의 구조 단위.
Pattern
회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
Mask
포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
Reticle
노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.
Process integration
공정 통합은 여러 단위공정의 순서와 상호 영향을 조정해 하나의 동작 가능한 구조를 완성하는 일이다.
Static Random Access Memory
전원이 공급되는 동안 저장 상태를 유지하는 휘발성 RAM. 일반적으로 매우 빠르지만 같은 용량의 DRAM보다 셀 면적이 크다.
NAND Flash Memory
전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 비휘발성 flash 메모리로, 셀이 직렬 구조로 연결되어 대용량 저장에 널리 쓰인다.
NOR Flash Memory
셀이 병렬 구조로 연결된 비휘발성 flash 메모리. 빠른 읽기 접근이 중요한 용도에 적합하다.
Solid State Drive
반도체 메모리를 저장 매체로 사용하는 비휘발성 대용량 저장장치. 일반적으로 NAND Flash가 핵심 저장 매체다.
System on Chip
CPU, 메모리 인터페이스, 주변 기능 등 시스템의 여러 기능을 하나의 칩에 통합한 고집적 반도체.
Application-Specific Integrated Circuit
특정 응용 분야나 특정 기능에 맞춰 설계한 전용 집적회로.
CMOS Image Sensor
CMOS 구조를 이용해 들어온 빛을 전기적 영상 신호로 바꾸는 저전력 이미지 센서.
Power Semiconductor
전력을 스위칭·변환·제어해 필요한 전압과 전류를 효율적으로 전달하도록 하는 반도체 소자군.
Cleanroom Classification
공기 중 특정 크기 이상의 입자 농도를 기준으로 클린룸의 공기 청정도를 분류하는 등급 체계.
Cleanroom Garment
사람의 피부·머리카락·의복에서 나오는 입자를 줄이고 정전기의 영향을 완화하기 위해 착용하는 전용 작업복.
Particle
파티클은 웨이퍼 위에 붙거나 공정 중 발생하는 작은 고체 입자이다.