화학기상증착

전류가 잘 흐르는 물질. 금속은 대표적인 도체이며 반도체 칩에서는 배선 재료로도 사용된다.

전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 물질. 산업 문맥에서는 이런 물질로 만든 IC와 관련 기술·산업까지 넓게 가리키기도 한다.

플라즈마를 이용해 비교적 낮은 온도에서도 막을 증착할 수 있게 한 CVD 방식입니다.

반도체 성질을 가진 원소로, 오늘날 실리콘 웨이퍼의 대표적인 원재료다.

실리콘 표면에 형성된 이산화실리콘 계열 절연막으로, 전기적 절연과 표면 보호 역할을 한다.

타깃 재료를 스퍼터링 등 물리적 방법으로 방출시켜 웨이퍼에 박막을 형성하는 증착 방식.

플라즈마를 이용해 비교적 낮은 온도에서도 막을 증착할 수 있게 한 CVD 방식입니다.

증착 공정에서 반응해 원하는 막 성분을 공급하는 원료 물질입니다.

웨이퍼 위에 형성되는 매우 얇은 재료 층으로, 반도체에서는 절연·도전·방지막·마스크 등 다양한 기능을 한다.

타깃 재료를 스퍼터링 등 물리적 방법으로 방출시켜 웨이퍼에 박막을 형성하는 증착 방식.

웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.