PECVD
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
를 이용해 비교적 낮은 온도에서도 막을 할 수 있게 한 방식입니다.
전자, 양이온, 라디칼 등이 존재하는 이온화된 가스 상태로, 건식 식각에서 화학적 반응과 directional 이온 bombardment를 만들어내는 핵심 매개체.
용어 상세 ↗웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
용어 상세 ↗가스 전구체가 챔버에서 화학반응을 일으켜 웨이퍼 표면에 solid 박막을 형성하는 증착 방식.
용어 상세 ↗