용어검색/반도체과식각Overetch팩별 설명반도체 공정 L1반도체 장비 L1반도체 소재 L1반도체 공정 L2반도체 수율·불량 L2과식각은 목표층의 잔류를 없애기 위해 기준 제거 완료점보다 더 진행하는 식각 구간입니다.정의 복사관련 학습 ↓설명두께·속도 불균일에 대응할 여유가 되지만 아래층과 마스크 손실이 늘 수 있습니다. 무조건 길게 진행하면 좋은 것은 아닙니다.예시덜 제거된 곳을 없애려다 이미 열린 위치의 아래층을 더 손상시킬 수 있습니다.구분잔류 제거의 이득과 보호층 손실의 비용을 함께 봅니다.함께 배우는 용어열전도율↗열전도율은 온도 차이가 있을 때 재료를 통해 열이 얼마나 잘 전달되는지 나타내는 물성입니다.결정 방향↗결정 방향은 결정의 원자 배열을 기준으로 특정 면이나 방향을 표시한 것입니다.계면↗계면은 서로 다른 두 재료나 층이 맞닿는 경계 영역입니다.이전 용어← 식각액 수명다음 용어플라스마 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개