도핑

Doping

팩별 설명

순수한 에 의도적으로 불순물을 넣어 전자 또는 정공의 농도와 전기적 특성을 조절하는 것.

반도체

전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 물질. 산업 문맥에서는 이런 물질로 만든 IC와 관련 기술·산업까지 넓게 가리키기도 한다.

설명

n형·p형 영역을 만들고 동작을 설계하는 기초 개념이다.

트랜지스터

전기 신호를 증폭하거나 스위칭하는 반도체 소자. 디지털 IC에서는 매우 많은 트랜지스터가 논리 동작을 만든다.

에 특정 불순물을 넣어 전자가 많은 n형 또는 정공이 많은 p형 영역을 형성할 수 있다. 관련 용어:

실리콘

반도체 성질을 가진 원소로, 오늘날 실리콘 웨이퍼의 대표적인 원재료다.

이온주입

도펀트 원자를 이온으로 만들고 전기장으로 가속해 웨이퍼 내부의 원하는 깊이 영역에 주입하여 전기적 특성을 조절하는 공정.

도핑은 이 아니라 원하는 전기적 특성을 만들기 위한 의도적 불순물 첨가다.

오염

웨이퍼·장비·공정 환경에 원하지 않는 입자, 화학물질, 금속 성분 등이 섞이거나 남아 공정 결과를 해칠 수 있는 상태.

전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 물질. 산업 문맥에서는 이런 물질로 만든 IC와 관련 기술·산업까지 넓게 가리키기도 한다.

전기 신호를 증폭하거나 스위칭하는 반도체 소자. 디지털 IC에서는 매우 많은 트랜지스터가 논리 동작을 만든다.

반도체 성질을 가진 원소로, 오늘날 실리콘 웨이퍼의 대표적인 원재료다.