이온주입

반도체 성질을 가진 원소로, 오늘날 실리콘 웨이퍼의 대표적인 원재료다.

반도체의 캐리어 농도와 전기적 성질을 의도적으로 바꾸기 위해 넣는 불순물 원자.

웨이퍼의 단위 면적당 주입되는 이온의 총량을 나타내는 주입 파라미터.

이온주입 장비에서 도펀트 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속할 때 부여하는 운동에너지 파라미터로, 주입 깊이 분포에 큰 영향을 준다.

재료를 일정한 온도 이력으로 가열해 결정 손상을 회복하거나 도펀트를 활성화하고 물성·전기적 특성을 변화시키는 열처리.

열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.