용어검색/반도체급속 열처리Rapid thermal processingRTP팩별 설명반도체 공정 L1반도체 장비 L1반도체 공정 L2반도체 장비 L2반도체 용어 L1급속 열처리는 웨이퍼의 온도를 빠르게 올리고 내리며 필요한 열 반응을 수행하는 방식이다.웨이퍼웨이퍼는 여러 회로를 함께 가공하는 기판이다.용어 상세 ↗정의 복사관련 학습 ↓설명짧은 시간에 활성화 등을 진행하면서 불필요한 장시간 확산을 줄이는 데 활용한다. 최고 온도만 아니라 상승·유지·냉각 전체 이력이 결과에 관여한다.활성화도펀트 활성화는 넣은 도펀트가 전하 운반자를 제공할 수 있는 전기적으로 유효한 상태가 되는 과정이다.용어 상세 ↗예시같은 최고 온도에 도달해도 오래 유지한 공정과 짧게 통과한 공정은 같은 처리가 아니다. 장비의 설정 온도와 실제 웨이퍼의 온도 균일성도 구분한다.웨이퍼웨이퍼는 여러 회로를 함께 가공하는 기판이다.용어 상세 ↗구분열처리 조건은 온도 한 점이 아니라 시간에 따른 온도 경로로 읽는다.함께 배우는 용어웨이퍼↗웨이퍼는 여러 회로를 함께 가공하는 기판이다.도펀트 활성화↗도펀트 활성화는 넣은 도펀트가 전하 운반자를 제공할 수 있는 전기적으로 유효한 상태가 되는 과정이다.공정 레시피↗공정 레시피는 한 작업에서 적용할 온도·압력·가스·전력·시간 등의 조건과 실행 순서를 정한 설정 묶음이다.이전 용어← 도펀트 활성화다음 용어스파이크 어닐링 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개