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금속 게이트

Metal gate

금속 게이트는 게이트 전극에 금속계 재료를 사용하는 구조이다.

설명

게이트 전압을 전달하면서 재료의 전자적 성질을 이용해 등 소자 특성을 맞춘다. 필요한 절연막과 전극 재료를 작은 공간에 균일하게 형성해야 한다.

문턱전압

문턱전압은 정해진 측정 기준에서 MOSFET 채널이 본격적으로 전류를 전달하기 시작하는 게이트 전압을 나타낸 값이다.

전극의 저항만 낮추는 것이 목표는 아니다. 채널과 절연층을 사이에 둔 에너지 관계·계면·후속 열처리 안정성도 함께 고려한다.

게이트 금속은 도선인 동시에 트랜지스터의 동작점을 정하는 재료이다.

문턱전압은 정해진 측정 기준에서 MOSFET 채널이 본격적으로 전류를 전달하기 시작하는 게이트 전압을 나타낸 값이다.

SOI는 얇은 실리콘층 아래에 절연층을 두어 그 위에서 소자를 형성하도록 만든 기판 구조이다.

비저항은 물질이 전류 흐름을 얼마나 방해하는지 나타내는 재료의 전기적 성질이다.