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NAND 전하 저장

Charge storage in NAND

NAND

NAND의 전하 저장은 절연된 영역에 전하를 보관해 트랜지스터의 상태를 바꾸는 정보 저장 방식이다.

문턱전압

문턱전압은 정해진 측정 기준에서 MOSFET 채널이 본격적으로 전류를 전달하기 시작하는 게이트 전압을 나타낸 값이다.

설명

대표적인 플래시 구조에는 전하를 도전성 부유 게이트나 전하 포획층에 보관하는 방식이 있다. 읽기는 저장 전하에 따른 전류· 차이를 구별하는 과정이다.

문턱전압

문턱전압은 정해진 측정 기준에서 MOSFET 채널이 본격적으로 전류를 전달하기 시작하는 게이트 전압을 나타낸 값이다.

처럼 단순히 별도 커패시터 전하를 주기적으로 보충하는 동작과는 다르다. 저장층과 주변 절연막의 품질이 유지·반복 사용 특성에 연결된다.

DRAM

DRAM 셀은 대표적으로 하나의 접근 트랜지스터와 하나의 커패시터로 정보를 저장하는 메모리 단위이다.

NAND는 저장 전하가 소자의 전기적 상태를 바꾸는 관계를 이용한다.

문턱전압은 정해진 측정 기준에서 MOSFET 채널이 본격적으로 전류를 전달하기 시작하는 게이트 전압을 나타낸 값이다.

DRAM 셀은 대표적으로 하나의 접근 트랜지스터와 하나의 커패시터로 정보를 저장하는 메모리 단위이다.

기생 정전용량은 의도한 회로 소자 외의 구조 사이에서도 전하가 저장되는 효과이다.