설명
높은 에너지 주입은 더 깊은 대상 영역에 도펀트를 배치하는 데 사용될 수 있지만 실제 형상은 이온 종류와 조건도 함께 영향을 준다.
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗예시
같은 도펀트라도 더 높은 에너지를 사용하면 projected 깊이가 더 깊어지는 방향으로 변한다.
관련 용어: /
도펀트 원자를 이온으로 만들고 전기장으로 가속해 웨이퍼 내부의 원하는 깊이 영역에 주입하여 전기적 특성을 조절하는 공정.
용어 상세 ↗관측값들을 모두 더해 데이터 개수로 나눈 산술평균으로, 공정 데이터의 중심 위치를 요약하는 가장 기본적인 통계량.
용어 상세 ↗웨이퍼의 단위 면적당 주입되는 이온의 총량을 나타내는 주입 파라미터.
용어 상세 ↗반도체의 캐리어 농도와 전기적 성질을 의도적으로 바꾸기 위해 넣는 불순물 원자.
용어 상세 ↗구분
에너지는 깊이와 관련된 축이고 는 총 주입량과 관련된 축이다.
도펀트 원자를 이온으로 만들고 전기장으로 가속해 웨이퍼 내부의 원하는 깊이 영역에 주입하여 전기적 특성을 조절하는 공정.
용어 상세 ↗웨이퍼의 단위 면적당 주입되는 이온의 총량을 나타내는 주입 파라미터.
용어 상세 ↗