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RCA 세정
RCA Standard Clean
반도체 웨이퍼에서 유기물·입자와 금속 오염을 줄이기 위해 단계적으로 수행하는 대표적인 표준 습식 세정 계열.
열산화
Thermal oxidation
열산화는 가열한 실리콘을 산화성 분위기와 반응시켜 실리콘 산화막을 성장시키는 공정이다.
산화막
Silicon Oxide Film
실리콘 표면에 형성된 이산화실리콘 계열 절연막으로, 전기적 절연과 표면 보호 역할을 한다.
도펀트 확산
Dopant diffusion
도펀트 확산은 열운동에 의해 도펀트 원자가 반도체 안에서 이동하여 농도 분포가 변하는 현상이다.
퍼니스·열처리로
Semiconductor Furnace
여러 웨이퍼를 제어된 온도와 분위기에서 배치로 처리하는 열 공정 장비. 산화, 확산, 어닐, LPCVD 등에 사용된다.
어닐링
Annealing
어닐링은 가열과 냉각을 통해 재료의 결정·결함·전기적 상태 등을 변화시키는 열처리이다.
열 예산
Thermal budget
열 예산은 여러 공정에서 재료와 소자가 받은 온도·시간 이력을 누적 영향의 관점에서 관리하는 개념이다.
포토리소그래피
Photolithography
빛과 photomask/레티클, 포토레지스트를 이용해 설계된 회로 패턴을 웨이퍼 표면에 전사하는 공정.
포토레지스트
Photoresist
포토레지스트는 빛에 반응해 현상액에 대한 용해성이 달라지는 감광 재료이다.
스핀 코팅
Spin coating
스핀 코팅은 웨이퍼를 회전시켜 액상 감광 재료를 넓게 펴고 두께를 형성하는 도포 방식이다.
소프트베이크·예비건조
Soft Bake / Prebake
포토레지스트 코팅 뒤 레지스트에 남은 용제를 줄이고 막을 안정화해 이후 노광과 취급이 가능하도록 하는 저강도 베이크 단계.
노광
Lithography Exposure
레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.
스테퍼
Lithography Stepper
한 노광 영역을 노광한 뒤 웨이퍼 스테이지를 다음 위치로 옮겨 같은 레티클 패턴을 반복해서 노광하는 리소그래피 장비.
스캐너
Lithography Scanner
레티클과 웨이퍼를 정밀하게 이동·스캔하면서 좁은 노광 slit를 이용해 한 노광 영역을 노광하는 step-and-scan 리소그래피 시스템.
현상
Photoresist Development
노광 후 현상액을 이용해 포토레지스트의 특정 영역을 선택적으로 제거하여 최종 레지스트 패턴을 드러내는 단계.
정렬·얼라인먼트
Wafer-Reticle Alignment
노광 전에 웨이퍼의 기존 표시와 레티클 기준을 측정해 다음 패턴이 목표 위치에 오도록 좌표와 자세를 맞추는 과정.
노광량
Exposure dose
노광량은 감광막에 전달되는 빛의 에너지를 단위 면적당 나타낸 양이다.
심자외선 노광
Deep Ultraviolet
심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.
극자외선 노광
Extreme Ultraviolet
약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.
파장
Wavelength (λ)
빛의 한 주기에서 다음 주기까지의 공간적 길이. 리소그래피에서는 파장이 짧을수록 더 작은 패턴을 구분하는 데 유리하다.
NA
Numerical aperture
NA는 광학계가 빛을 받아들이는 각도 범위를 매질의 굴절률과 함께 나타내는 수치개구이다.
노광 해상도
Lithography Resolution
서로 가까운 미세 패턴을 구분해 원하는 형태로 웨이퍼에 인쇄할 수 있는 리소그래피 시스템의 능력.
오버레이
Overlay
오버레이는 서로 다른 공정에서 형성한 패턴층 사이의 상대적인 위치 일치 정도이다.
포커스·초점
Lithography Focus
레티클의 패턴 이미지가 웨이퍼의 포토레지스트 면에 가장 선명하게 맺히도록 초점 위치를 맞춘 상태.