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초점심도(DOF)
Depth of Focus
웨이퍼 높이나 초점이 조금 변해도 허용 가능한 이미징 품질을 유지할 수 있는 초점 방향의 여유 범위.
OPC
Optical Proximity Correction
OPC는 웨이퍼에 원하는 형상이 나오도록 주변 패턴의 영향을 고려해 마스크 형상을 보정하는 기술이다.
피치
Pattern Pitch
주기적으로 반복되는 패턴에서 한 기준점부터 다음 같은 기준점까지의 반복 간격.
식각
Semiconductor Etching
포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.
건식 식각
Dry etching
건식 식각은 액체 대신 기체 반응이나 플라즈마 등을 이용해 재료를 제거하는 방식이다.
습식 식각
Wet etching
습식 식각은 액체 약액과 재료의 반응을 이용해 제거하는 방식이다.
플라즈마
Plasma
플라즈마는 기체 일부가 이온과 전자로 나뉘어 전하를 가진 입자와 중성 입자가 함께 존재하는 상태이다.
RIE
Reactive Ion Etching
RIE는 반응성 기체의 화학 작용과 이온 충격을 함께 이용하는 식각 방식이다.
선택비
Etch selectivity
식각 선택비는 목표 재료의 식각률을 비교 재료의 식각률로 나눈 값이다.
식각 이방성
Etch Anisotropy
식각이 모든 방향으로 비슷하게 진행되지 않고 특정 방향, 주로 수직 방향으로 더 강하게 진행되는 정도.
식각률
Etch rate
식각률은 단위 시간 동안 제거되는 재료의 두께나 깊이이다.
식각 종점 검출
Etch Endpoint Detection
목표 층 제거가 끝나는 시점을 센서 신호나 공정 반응으로 판단해 식각을 적절한 때에 멈추도록 하는 방법.
식각 측벽 프로파일
Etch Sidewall Profile
식각된 트렌치나 홀의 옆벽이 얼마나 수직이고 매끄러운지, taper나 bowing이 있는지 등을 나타내는 형상 특성.
증착
Thin Film Deposition
웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
CVD
Chemical Vapor Deposition
CVD는 기체 상태의 원료가 반응하거나 분해되어 기판 위에 고체 박막을 형성하는 화학기상증착이다.
PVD
Physical Vapor Deposition
PVD는 원료 재료를 물리적으로 기화하거나 방출시켜 기판 위에 막을 형성하는 물리기상증착이다.
ALD
Atomic Layer Deposition
ALD는 표면에서 스스로 포화되는 반응을 차례로 반복하여 박막을 성장시키는 원자층증착이다.
에피택시·에피 성장
Epitaxial Growth
기판의 결정 방향을 이어받아 그 위에 고품질 단결정 또는 결정성 층을 성장시키는 증착 기술.
박막
Thin film
박막은 기판이나 기존 구조 위에 얇게 형성하여 특정 기능을 부여하는 재료층이다.
이온주입
Ion implantation
이온주입은 이온화한 원자를 가속해 반도체 안에 넣는 도핑 방법이다.
도펀트·불순물 첨가원소
Dopant
반도체의 캐리어 농도와 전기적 성질을 의도적으로 바꾸기 위해 넣는 불순물 원자.
이온주입 도즈
Ion Implant Dose
웨이퍼의 단위 면적당 주입되는 이온의 총량을 나타내는 주입 파라미터.
이온주입 에너지
Ion Implant Energy
이온주입 장비에서 도펀트 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속할 때 부여하는 운동에너지 파라미터로, 주입 깊이 분포에 큰 영향을 준다.
CMP
Chemical Mechanical Planarization
CMP는 화학적 반응과 기계적 연마를 함께 이용해 재료를 제거하고 표면을 평탄화하는 공정이다.