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평탄화
Surface Planarization
웨이퍼 표면의 높이 차이를 줄여 전체 또는 국부 표면을 더 평평하게 만드는 것.
CMP 슬러리
CMP Slurry
CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.
CMP 연마 패드
CMP Polishing Pad
CMP에서 웨이퍼와 접촉하며 CMP 슬러리와 함께 기계적 마찰·압력 분포를 만들어 재료를 제거하는 연마 표면.
디싱
CMP Dishing
CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.
에로전·패턴 영역 침식
CMP Erosion
CMP에서 조밀한 패턴 영역의 금속과 절연막이 함께 과도하게 제거되어 주변보다 전체 표면이 낮아지는 현상.
CMP 제거율·제거속도
CMP Removal Rate
CMP에서 단위시간 동안 대상 막이 얼마나 두께 방향으로 제거되는지를 나타내는 속도 지표.
CMP 종점 검출
CMP Endpoint Detection
CMP 중 대상 막이 필요한 만큼 제거되어 연마를 끝내야 할 시점을 센서 또는 공정 신호로 판단하는 방법.
CMP 후 세정
Post-CMP Cleaning
CMP 직후 웨이퍼에 남을 수 있는 CMP 슬러리 잔류물, 입자, 금속 오염 등을 제거하는 세정 단계.
웨이퍼 보우·전체 휨
Wafer Bow
자유 상태 웨이퍼의 중앙 기준면이 기준 평면에서 벗어나 전체적으로 휘어진 정도를 나타내는 웨이퍼 형상 특성.
금속화
Semiconductor Metallization
칩 내부에서 전기 신호와 전력을 전달할 금속 도체와 관련 층을 형성하는 공정·구조의 총칭.
칩 내부 배선·상호연결
On-Chip Interconnect
트랜지스터와 회로 블록 사이를 전기적으로 연결하는 금속 배선선, 비아, 콘택트 등의 배선 네트워크.
콘택트
Contact
콘택트는 소자의 단자를 배선이나 국부 연결 구조에 전기적으로 접속시키는 부분이다.
비아
Via
비아는 서로 다른 배선층을 전기적으로 잇는 수직 연결부이다.
금속 배선선
Metal Interconnect Line
칩의 같은 배선 층 안에서 신호나 전력을 전달하는 길게 형성된 도전성 금속 경로.
구리 배선
Copper Interconnect
낮은 전기저항 특성 때문에 현대 IC 칩 내부 배선에 널리 쓰이는 금속. 구리 집적은 방지막/시드와 전해도금, CMP를 함께 사용한다.
알루미늄 배선
Aluminum Interconnect
반도체 배선에 오랫동안 사용된 금속 재료로, 공정 단순성과 성숙도가 높아 여러 제품·배선 구조에서 여전히 사용된다.
확산 방지막
Diffusion Barrier Metal
구리가 주변 절연막이나 실리콘 영역으로 확산하는 것을 막고 인터페이스 안정성을 높이기 위해 구리 주변에 형성하는 얇은 방지막 층.
구리 시드층
Copper Seed Layer
전해도금 전에 트렌치/비아 표면에 얇고 연속적으로 형성해 전류 경로와 구리 핵생성 표면을 제공하는 초기 구리 막.
전해도금
Copper Electroplating
전해액과 전류를 이용해 전도성 시드 표면 위에 벌크 구리를 성장시켜 칩 내부 배선 트렌치와 비아를 채우는 공정.
게이트
MOSFET Gate
MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.
채널
MOSFET Channel
소스와 드레인 사이에서 게이트 전기장에 의해 캐리어 흐름이 제어되는 트랜지스터의 전도 경로.
소스
MOSFET Source
MOSFET 채널의 한쪽 단자로, 소자 편향에 따라 캐리어가 채널로 공급되는 쪽으로 정의된다.
드레인
MOSFET Drain
MOSFET 채널의 소스 반대쪽 단자로, 소자가 동작할 때 채널을 통과한 전류가 연결되는 단자.
게이트 산화막·게이트 절연막
Gate Dielectric / Gate Oxide
게이트 전극과 반도체 채널 사이를 전기적으로 절연하면서 게이트 전기장이 채널에 영향을 주도록 하는 매우 얇은 절연막 층.