용어검색/반도체자기상관Autocorrelation팩별 설명반도체 공정 L2반도체 수율·불량 L2반도체 계측·검사 L2자기상관은 시간상 가까운 관측값들이 서로 연관되는 성질이다.정의 복사관련 학습 ↓설명열 안정화나 장비 드리프트 등으로 연속값이 독립이 아닐 수 있다. 독립을 전제한 방법을 그대로 쓰면 경보 빈도나 유효 표본 수를 잘못 해석할 수 있다.예시센서 데이터를 더 자주 수집해도 독립 정보가 같은 비율로 늘지는 않는다.구분수집 간격과 공정의 시간 척도를 함께 확인한다.함께 배우는 용어열산화↗열산화는 높은 온도에서 산화제가 실리콘과 반응하여 산화막을 성장시키는 공정이다.Deal–Grove 모델↗Deal–Grove 모델은 평탄한 실리콘의 열산화 성장을 계면 반응과 산화막 내부 확산으로 근사하는 모델이다.식각 선택비↗식각 선택비는 같은 조건에서 제거하려는 재료의 식각률을 보존하려는 재료의 식각률로 나눈 비다.이전 용어← 공정 능력 지수 Cpk다음 용어과잉 조절 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개