CMP 종점 검출

CMP Endpoint Detection

CMP Endpoint

중 대상 막이 필요한 만큼 제거되어 연마를 끝내야 할 시점을 센서 또는 공정 신호로 판단하는 방법.

CMP

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

설명

종점이 늦으면 over-polish와 /에로전이 커질 수 있고 너무 빠르면 잔여 막이 남을 수 있다.

디싱

CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.

in-situ 신호를 이용해 대상 층이 제거된 시점을 감지하고 연마를 종료한다. 관련 용어: /

CMP 제거율·제거속도

CMP에서 단위시간 동안 대상 막이 얼마나 두께 방향으로 제거되는지를 나타내는 속도 지표.

디싱

CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.

종점은 종료 시점 판단이고 제거율은 제거 속도다.

CMP

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.