CMP 후 세정

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

웨이퍼 표면의 높이 차이를 줄여 전체 또는 국부 표면을 더 평평하게 만드는 것.

패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.

화학적·기체·물리적 방법 등을 이용해 웨이퍼 표면의 입자, 금속, 유기물, 자연산화막 같은 불순물을 제거하는 공정.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.

공기·액체·표면에 존재하는 미세 고형 또는 액상 입자. 미세공정에서는 작은 입자도 패턴을 막거나 결함을 만들 수 있다.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

웨이퍼·장비·공정 환경에 원하지 않는 입자, 화학물질, 금속 성분 등이 섞이거나 남아 공정 결과를 해칠 수 있는 상태.

웨이퍼 표면의 높이 차이를 줄여 전체 또는 국부 표면을 더 평평하게 만드는 것.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

웨이퍼·장비·공정 환경에 원하지 않는 입자, 화학물질, 금속 성분 등이 섞이거나 남아 공정 결과를 해칠 수 있는 상태.