CMP 제거율·제거속도

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.

증착·산화 등으로 형성된 박막이 웨이퍼 위에서 얼마나 두꺼운지를 나타내는 핵심 측정값.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

CMP 중 대상 막이 필요한 만큼 제거되어 연마를 끝내야 할 시점을 센서 또는 공정 신호로 판단하는 방법.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.