설명
밀도 차이에 따라 로컬 평탄도가 달라질 수 있어 과 함께 주요 형상 으로 관리한다.
회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.
용어 상세 ↗화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.
용어 상세 ↗예시
dense 칩 내부 배선 영역 전체가 sparse 영역보다 낮아지는 표면 depression이 나타날 수 있다.
관련 용어:
CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.
용어 상세 ↗구분
에로전은 영역 전체의 저하, 은 개별 금속 형상 요소가 움푹해지는 현상으로 구분한다.
회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.
용어 상세 ↗