설명
포토에서 패턴을 하고 · 등을 거치며 실제 구조로 옮긴다.
레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.
용어 상세 ↗포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.
용어 상세 ↗웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
용어 상세 ↗예시
의 회로 형상을 포토레지스트에 전사한 뒤 필요한 부분을 해 패턴을 만든다.
관련 용어: / 레티클 /
노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.
용어 상세 ↗포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.
용어 상세 ↗포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
용어 상세 ↗빛과 photomask/레티클, 포토레지스트를 이용해 설계된 회로 패턴을 웨이퍼 표면에 전사하는 공정.
용어 상세 ↗구분
패턴은 형상 자체이고 /은 그 형상을 전달하는 원판이다.
포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
용어 상세 ↗노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.
용어 상세 ↗