설명
슬러리 선택은 CMP 제거율, 재료 간 선택비, , 표면 품질과 연결되지만 이 팩에서는 조성 는 다루지 않는다.
화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.
용어 상세 ↗장비가 재료를 처리할 때 따라야 할 공정 단계, 조건, 파라미터의 정의된 집합.
용어 상세 ↗예시
특정 단계에 맞는 CMP 슬러리가 표면 반응과 기계적 연마를 함께 도와 대상 막을 제거한다.
관련 용어: /
화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗CMP에서 웨이퍼와 접촉하며 CMP 슬러리와 함께 기계적 마찰·압력 분포를 만들어 재료를 제거하는 연마 표면.
용어 상세 ↗CMP에서 단위시간 동안 대상 막이 얼마나 두께 방향으로 제거되는지를 나타내는 속도 지표.
용어 상세 ↗구분
슬러리는 CMP에 쓰는 액체 재료이고 패드는 와 접촉해 기계적 조치를 제공하는 연마 매체다.
화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗