CMP 연마 패드

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.

CMP에서 단위시간 동안 대상 막이 얼마나 두께 방향으로 제거되는지를 나타내는 속도 지표.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.