화학기계적 평탄화

Chemical Mechanical Planarization

CMP

팩별 설명

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

설명

다층 칩 내부 배선에서는 각 층이 쌓일수록 표면 높이차가 커지므로 CMP가 리소그래피 포커스와 배선 형성에 중요하다.

구리 도금 뒤 과도하게 채워진 구리와 방지막을 CMP로 제거해 평탄한 칩 내부 배선 표면을 만든다. 관련 용어: / / /

평탄화

웨이퍼 표면의 높이 차이를 줄여 전체 또는 국부 표면을 더 평평하게 만드는 것.

CMP 슬러리

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.

CMP 연마 패드

CMP에서 웨이퍼와 접촉하며 CMP 슬러리와 함께 기계적 마찰·압력 분포를 만들어 재료를 제거하는 연마 표면.

디싱

CMP 후 상대적으로 넓은 금속 영역이 주변 절연막보다 더 많이 깎여 움푹 들어가는 국부적인 over-polish 형상.

CMP의 목적은 단순 연마가 아니라 전면의 와 필요한 재료의 선택적 제거다.

웨이퍼

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

평탄화

웨이퍼 표면의 높이 차이를 줄여 전체 또는 국부 표면을 더 평평하게 만드는 것.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

웨이퍼 표면의 높이 차이를 줄여 전체 또는 국부 표면을 더 평평하게 만드는 것.

CMP에서 웨이퍼와 패드 사이에 공급되는 액체 혼합물로, abrasive 입자와 화학적 성분을 이용해 재료 제거 반응과 연마를 돕는다.