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CMP

Chemical Mechanical Planarization

화학기계적 평탄화

팩별 설명

CMP는 화학적 반응과 기계적 연마를 함께 이용해 재료를 제거하고 표면을 평탄화하는 공정이다.

설명

와 패드가 표면에 작용하며 높은 영역과 과잉막을 줄인다. 단순히 를 광택 있게 만드는 것이 아니라 다음 층을 가공할 높이와 남길 재료를 맞춘다.

슬러리

CMP 슬러리는 연마 입자와 화학 성분 등을 포함해 표면의 반응과 제거를 돕는 액체이다.

웨이퍼

웨이퍼는 여러 회로를 함께 가공하는 기판이다.

에서는 홈 밖의 금속을 제거하면서 홈 안의 금속선은 유지해야 한다. 제거가 부족하면 선끼리 연결되고 과하면 도전 단면이 줄어들 수 있다.

다마신

다마신은 절연막에 홈이나 구멍을 먼저 만든 뒤 금속을 채우고 표면의 과잉 금속을 제거해 배선을 남기는 방식이다.

CMP의 목표는 충분한 제거와 필요한 구조의 보존을 동시에 달성하는 것이다.

CMP 슬러리는 연마 입자와 화학 성분 등을 포함해 표면의 반응과 제거를 돕는 액체이다.

웨이퍼는 여러 회로를 함께 가공하는 기판이다.

다마신은 절연막에 홈이나 구멍을 먼저 만든 뒤 금속을 채우고 표면의 과잉 금속을 제거해 배선을 남기는 방식이다.