용어검색/반도체공통 원인 변동Common-cause variation팩별 설명반도체 수율·불량 L1Fab 자동화·MES L1반도체 공정 L2공통 원인 변동은 정한 공정 시스템에 지속적으로 포함되어 나타나는 평소의 변동이다.정의 복사관련 학습 ↓설명작은 변동마다 개별 원인을 붙여 조절하면 오히려 변동을 키울 수 있다. 감소시키려면 설비·재료·방법 등 시스템 개선이 필요하다.예시정상 범위의 위아래 움직임마다 레시피를 반대로 보정하면 과잉 조절이 될 수 있다.과잉 조절과잉 조절은 정상 잡음이나 잘못 해석한 변화에 지나치게 반응하여 오히려 변동을 키우는 상태다.용어 상세 ↗구분평소 변동과 특수한 변화를 구분한 뒤 행동한다.함께 배우는 용어과잉 조절↗과잉 조절은 정상 잡음이나 잘못 해석한 변화에 지나치게 반응하여 오히려 변동을 키우는 상태다.열산화↗열산화는 높은 온도에서 산화제가 실리콘과 반응하여 산화막을 성장시키는 공정이다.Deal–Grove 모델↗Deal–Grove 모델은 평탄한 실리콘의 열산화 성장을 계면 반응과 산화막 내부 확산으로 근사하는 모델이다.이전 용어← 통계적 공정 관리다음 용어특별 원인 변동 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개