용어검색/반도체특별 원인 변동Special-cause variation팩별 설명반도체 수율·불량 L1Fab 자동화·MES L1반도체 공정 L2특별 원인 변동은 평소 공정 시스템으로 설명하기 어려운 특정 변화나 사건에 따른 변동이다.정의 복사관련 학습 ↓설명장비 이상·새 재료·측정 변경 등이 원인 후보이며 신호는 조사 시작점이다. 관리도 경보만으로 물리 원인을 특정하지는 못한다.예시보전 직후 중심 이동이 나타나면 소모품·교정·안정화 이력을 비교한다.구분통계적 신호를 물리적 원인 증거와 연결한다.함께 배우는 용어열산화↗열산화는 높은 온도에서 산화제가 실리콘과 반응하여 산화막을 성장시키는 공정이다.Deal–Grove 모델↗Deal–Grove 모델은 평탄한 실리콘의 열산화 성장을 계면 반응과 산화막 내부 확산으로 근사하는 모델이다.식각 선택비↗식각 선택비는 같은 조건에서 제거하려는 재료의 식각률을 보존하려는 재료의 식각률로 나눈 비다.이전 용어← 공통 원인 변동다음 용어관리 한계 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개