설명
구리 damascene 흐름에서 방지막/시드 이후 벌크 채움을 담당하고 뒤이어 로 과잉 구리를 제거한다.
화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗예시
시드가 형성된 에 전해도금을 수행해 트렌치와 를 구리로 채운다.
관련 용어: / /
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗서로 다른 높이의 금속/칩 내부 배선 층을 수직으로 연결하는 전도성 구조.
용어 상세 ↗전해도금 전에 트렌치/비아 표면에 얇고 연속적으로 형성해 전류 경로와 구리 핵생성 표면을 제공하는 초기 구리 막.
용어 상세 ↗화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗절연막에 배선 홈을 먼저 만든 뒤 금속을 채우고 CMP로 평탄화해 배선을 만드는 방식입니다.
용어 상세 ↗구분
전해도금은 벌크 금속 채움 공정이고 시드 은 도금을 가능하게 하는 초기 전도성 층 형성 단계다.
웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
용어 상세 ↗