설명
시드 범위가 불완전하면 도금 빈 공간이나 채움 으로 이어질 수 있어 과 연속성이 중요하다.
패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.
용어 상세 ↗굴곡이나 깊은 구조의 옆면과 바닥까지 막이 얼마나 고르게 덮이는지를 나타냅니다.
용어 상세 ↗예시
방지막 위에 구리 시드를 한 뒤 으로 벌크 구리를 채운다.
관련 용어: / 전해도금 /
웨이퍼 위에 형성되는 매우 얇은 재료 층으로, 반도체에서는 절연·도전·방지막·마스크 등 다양한 기능을 한다.
용어 상세 ↗웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
용어 상세 ↗전해액과 전류를 이용해 전도성 시드 표면 위에 벌크 구리를 성장시켜 칩 내부 배선 트렌치와 비아를 채우는 공정.
용어 상세 ↗구리가 주변 절연막이나 실리콘 영역으로 확산하는 것을 막고 인터페이스 안정성을 높이기 위해 구리 주변에 형성하는 얇은 방지막 층.
용어 상세 ↗낮은 전기저항 특성 때문에 현대 IC 칩 내부 배선에 널리 쓰이는 금속. 구리 집적은 방지막/시드와 전해도금, CMP를 함께 사용한다.
용어 상세 ↗구분
구리 시드층은 얇은 시작층이고 은 그 위에 벌크 구리를 성장시켜 형상 요소를 채우는 단계다.
전해액과 전류를 이용해 전도성 시드 표면 위에 벌크 구리를 성장시켜 칩 내부 배선 트렌치와 비아를 채우는 공정.
용어 상세 ↗