설명
구리는 알루미늄보다 낮은 비저항 장점이 있지만 절연막으로의 을 막기 위한 방지막이 필요하다.
열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.
용어 상세 ↗예시
dual-damascene 트렌치와 에 구리를 채운 뒤 로 과잉 구리를 제거한다.
관련 용어: / / / 화학기계적 평탄화
서로 다른 높이의 금속/칩 내부 배선 층을 수직으로 연결하는 전도성 구조.
용어 상세 ↗화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.
용어 상세 ↗구리가 주변 절연막이나 실리콘 영역으로 확산하는 것을 막고 인터페이스 안정성을 높이기 위해 구리 주변에 형성하는 얇은 방지막 층.
용어 상세 ↗전해도금 전에 트렌치/비아 표면에 얇고 연속적으로 형성해 전류 경로와 구리 핵생성 표면을 제공하는 초기 구리 막.
용어 상세 ↗전해액과 전류를 이용해 전도성 시드 표면 위에 벌크 구리를 성장시켜 칩 내부 배선 트렌치와 비아를 채우는 공정.
용어 상세 ↗구분
구리는 배선 재료이고 은 벌크 구리를 채우는 대표 방법이다.
전해액과 전류를 이용해 전도성 시드 표면 위에 벌크 구리를 성장시켜 칩 내부 배선 트렌치와 비아를 채우는 공정.
용어 상세 ↗웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
용어 상세 ↗