설명
과거에는 확산 자체로 도펀트를 넣기도 했고, 현대 공정에서도 열 treatment가 주입 형상에 영향을 줄 수 있다는 점이 중요하다.
예시
주입된 도펀트가 열처리 중 결정 내부에서 이동하고 전기적으로 활성화될 수 있다.
관련 용어: / / /
도펀트 원자를 이온으로 만들고 전기장으로 가속해 웨이퍼 내부의 원하는 깊이 영역에 주입하여 전기적 특성을 조절하는 공정.
용어 상세 ↗재료를 일정한 온도 이력으로 가열해 결정 손상을 회복하거나 도펀트를 활성화하고 물성·전기적 특성을 변화시키는 열처리.
용어 상세 ↗여러 웨이퍼를 제어된 온도와 분위기에서 배치로 처리하는 열 공정 장비. 산화, 확산, 어닐, LPCVD 등에 사용된다.
용어 상세 ↗반도체의 캐리어 농도와 전기적 성질을 의도적으로 바꾸기 위해 넣는 불순물 원자.
용어 상세 ↗구분
확산은 열에 의한 원자 이동이고 은 이온을 가속해 에 직접 주입하는 방법이다.
도펀트 원자를 이온으로 만들고 전기장으로 가속해 웨이퍼 내부의 원하는 깊이 영역에 주입하여 전기적 특성을 조절하는 공정.
용어 상세 ↗여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗