설명
ET는 가 완성된 뒤 개별 의 기본 전기특성이 정상인지 빠르게 확인하는 선별 역할을 한다.
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗웨이퍼 위에 만들어진 개별 집적회로 단위. 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱하면 각각의 다이로 분리된다.
용어 상세 ↗예시
의 누설, / 파라미터를 측정해 비정상 소자를 선별한다.
관련 용어: / /
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗웨이퍼 위에 만들어진 개별 집적회로 단위. 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱하면 각각의 다이로 분리된다.
용어 상세 ↗두 지점 사이의 전기적 전위차. 전류가 흐르도록 만드는 구동 조건으로 이해할 수 있으며 단위는 볼트(V)다.
용어 상세 ↗전하가 이동하는 흐름. 회로에서 얼마나 많은 전하가 흐르는지를 나타내며 단위는 암페어(A)다.
용어 상세 ↗웨이퍼 상태의 다이에 응력 조건을 가해 잠재적인 초기 불량을 조기에 드러내고 신뢰성 위험을 선별하는 테스트 단계.
용어 상세 ↗소자 핀이나 테스트 구조의 전압, 전류, 누설, 저항, 타이밍 등 정량적 전기적 파라미터가 규정 범위 안인지 측정하는 시험.
용어 상세 ↗웨이퍼 제조가 끝난 뒤 각 다이의 전기적 동작과 특성을 검사해 정상 다이와 불량 다이를 선별하고, 가능한 경우 다이 리페어까지 수행하는 웨이퍼-수준 테스트 공정.
용어 상세 ↗구분
ET는 기본 전기적 파라미터 중심이고 뒤의 기능/속도 테스트는 소자 기능·동작속도까지 더 넓게 본다.