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pn 접합

p-n junction

pn접합p-n 접합

pn 접합은 정공이 주된 전하 운반자인 p형 영역과 전자가 주된 전하 운반자인 n형 영역의 경계이다.

설명

경계 부근에는 이동 가능한 전하가 적은 공핍영역이 형성된다. 분포와 인가 전압에 따라 이 영역과 전류 흐름이 달라진다.

도핑

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

을 형성한 뒤 열처리를 하면 도펀트 분포가 바뀌어 접합 위치도 달라질 수 있다. 마스크에 그려진 선만으로 최종 전기적 경계를 확정하지 않는다.

소스·드레인

소스·드레인은 MOSFET의 채널 양쪽에서 전하가 들어오고 나가는 단자 영역이다.

pn 접합은 그림의 경계선이 아니라 분포로 만들어진 전기적 경계이다.

도핑

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

소스·드레인은 MOSFET의 채널 양쪽에서 전하가 들어오고 나가는 단자 영역이다.

FEOL은 웨이퍼에 트랜지스터 등 소자의 기본 구조를 형성하는 공정 영역이다.