소스·드레인

Source and drain

소스·드레인은 의 양쪽에서 전하가 들어오고 나가는 단자 영역이다.

MOSFET

MOSFET은 게이트 전압으로 반도체의 채널 전류를 조절하는 전계효과 트랜지스터이다.

채널

채널은 MOSFET에서 게이트의 제어를 받아 소스와 드레인 사이의 전류가 흐르는 반도체 영역이다.

설명

이나 등을 이용해 원하는 전기적 성질을 만들고 금속 접점으로 연결한다. 과 가까운 경계의 위치도 누설과 저항에 영향을 준다.

도핑

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

에피택시

에피택시는 기판의 결정 배열을 따라 결정성 박막을 성장시키는 기술이다.

채널

채널은 MOSFET에서 게이트의 제어를 받아 소스와 드레인 사이의 전류가 흐르는 반도체 영역이다.

도펀트를 많이 넣으면 저항을 낮추는 데 도움이 될 수 있지만 결함· 한계·접합 누설도 고려해야 한다. 농도를 높이는 것만으로 성능이 항상 좋아지지는 않는다.

활성화

도펀트 활성화는 넣은 도펀트가 전하 운반자를 제공할 수 있는 전기적으로 유효한 상태가 되는 과정이다.

단자 영역은 낮은 저항과 적절한 접합 형상을 함께 요구한다.

MOSFET은 게이트 전압으로 반도체의 채널 전류를 조절하는 전계효과 트랜지스터이다.

채널은 MOSFET에서 게이트의 제어를 받아 소스와 드레인 사이의 전류가 흐르는 반도체 영역이다.

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.