확산 도핑

Diffusion doping

확산 은 외부에서 공급한 도펀트를 열에 의해 반도체 내부로 이동시켜 원하는 농도 분포를 만드는 방법이다.

도핑

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

설명

표면에서 도펀트를 공급하는 단계와 내부로 재분포시키는 단계를 나누어 운용할 수 있다. 이온을 가속해 집어넣는 과 도입 방식이 다르다.

이온주입

이온주입은 이온화한 원자를 가속해 반도체 안에 넣는 도핑 방법이다.

확산 은 열과 농도 경계조건에 민감하다. 은 투입량과 에너지를 별도로 조절할 수 있지만 과 후속 를 고려해야 한다.

도핑

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

이온주입

이온주입은 이온화한 원자를 가속해 반도체 안에 넣는 도핑 방법이다.

주입 손상

주입 손상은 가속 이온의 충돌로 원자가 원래 격자 자리에서 벗어나는 등 결정 구조가 변한 상태이다.

활성화

도펀트 활성화는 넣은 도펀트가 전하 운반자를 제공할 수 있는 전기적으로 유효한 상태가 되는 과정이다.

방법은 도펀트를 어떻게 넣고 어떻게 분포시키는지로 구분한다.

도핑

도핑은 반도체에 특정 불순물 원자를 넣어 전하 운반자의 종류와 농도 등 전기적 성질을 조절하는 일이다.

이온주입은 이온화한 원자를 가속해 반도체 안에 넣는 도핑 방법이다.

주입 손상은 가속 이온의 충돌로 원자가 원래 격자 자리에서 벗어나는 등 결정 구조가 변한 상태이다.

도펀트 활성화는 넣은 도펀트가 전하 운반자를 제공할 수 있는 전기적으로 유효한 상태가 되는 과정이다.