인시투 도핑
In-situ doping
인시투 도핑은 반도체막을 성장시키는 동안 도펀트도 함께 공급하여 전기적 성질을 조절하는 방법이다.
설명
성장 뒤에 이온을 주입하는 방식과 도입 시점이 다르다. 도펀트가 들어가는 정도와 실제 전기적 활성 상태는 성장 조건과 후속 열 이력에 영향을 받는다.
예시
도펀트 공급 가스의 비율을 정했다고 막 안의 농도가 같은 비율로 고정되는 것은 아니다. 조성과 저항 등 실제 결과로 공급 조건을 검증해야 한다.
구분
도펀트의 공급량·막 속 농도·전기적 활성은 서로 구분한다.