원자층증착

여러 다이를 수직으로 쌓아 연결하는 집적 방식입니다.

기존 이산화실리콘보다 유전율이 높은 절연재료로 얇은 게이트 절연막의 누설을 줄이는 데 활용됩니다.

MOSFET에서 채널의 전도 상태를 전기장으로 제어하는 제어 전극.

증착 공정에서 반응해 원하는 막 성분을 공급하는 원료 물질입니다.

증착·산화 등으로 형성된 박막이 웨이퍼 위에서 얼마나 두꺼운지를 나타내는 핵심 측정값.

가스 전구체가 챔버에서 화학반응을 일으켜 웨이퍼 표면에 solid 박막을 형성하는 증착 방식.

굴곡이나 깊은 구조의 옆면과 바닥까지 막이 얼마나 고르게 덮이는지를 나타냅니다.

기존 이산화실리콘보다 유전율이 높은 절연재료로 얇은 게이트 절연막의 누설을 줄이는 데 활용됩니다.

가스 전구체가 챔버에서 화학반응을 일으켜 웨이퍼 표면에 solid 박막을 형성하는 증착 방식.