박막 두께

웨이퍼 위에 형성되는 매우 얇은 재료 층으로, 반도체에서는 절연·도전·방지막·마스크 등 다양한 기능을 한다.

공정이나 제품이 가능한 한 맞추도록 설정한 중심 또는 원하는 엔지니어링 value.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

같은 공정 조건으로 처리한 여러 웨이퍼 사이에서 두께, CD, 저항 같은 결과가 얼마나 달라지는지를 나타내는 변동.

공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.

웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

빛이 박막에서 반사된 뒤 편광 상태가 어떻게 변했는지를 측정해 박막 두께와 광학 특성을 추정하는 비파괴 광학 계측 방법.

웨이퍼 위에 형성되는 매우 얇은 재료 층으로, 반도체에서는 절연·도전·방지막·마스크 등 다양한 기능을 한다.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.