포토레지스트(PR)
Photoresist
Photoresist (PR)감광액·포토레지스트PR
빛에 반응해 용해 특성이 변하는 감광성 재료로, 위에 얇게 도포되어 · 후 역할을 하는 을 만든다.
마스크
포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
용어 상세설명
positive/negative 레지스트가 빛에 반응하는 방식이 다르다는 정도까지 초급에서 알아두면 좋다.
예시
에 균일한 PR 막을 만든 뒤 선택적으로 하고 하면 레지스트 이 남는다. 관련 용어: / 노광 / 현상
구분
PR은 을 임시로 형성하는 감광막이며 최종 금속/ 구조 자체가 아니다.