식각

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

반도체 성질을 가진 원소로, 오늘날 실리콘 웨이퍼의 대표적인 원재료다.

빛에 반응해 용해 특성이 변하는 감광성 재료로, 웨이퍼 위에 얇게 도포되어 노광·현상 후 식각 마스크 역할을 하는 패턴을 만든다.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.

실리콘 표면에 형성된 이산화실리콘 계열 절연막으로, 전기적 절연과 표면 보호 역할을 한다.

가스와 플라즈마, 이온/라디칼 반응 등을 이용해 웨이퍼의 특정 재료를 제거하는 식각 방식.

액체 식각액의 화학반응으로 노출된 재료를 용해·제거하는 식각 방식.

목표 재료의 식각속도가 마스크나 인접 재료의 식각속도에 비해 얼마나 큰지를 나타내는 상대 지표.

식각이 모든 방향으로 비슷하게 진행되지 않고 특정 방향, 주로 수직 방향으로 더 강하게 진행되는 정도.

노광 후 현상액을 이용해 포토레지스트의 특정 영역을 선택적으로 제거하여 최종 레지스트 패턴을 드러내는 단계.