노광량

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

노광 후 현상액을 이용해 포토레지스트의 특정 영역을 선택적으로 제거하여 최종 레지스트 패턴을 드러내는 단계.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

레티클의 패턴 이미지가 웨이퍼의 포토레지스트 면에 가장 선명하게 맺히도록 초점 위치를 맞춘 상태.

제품이 요구 성능·품질을 만족할 수 있는 공정 조건의 허용 범위 또는 안정적으로 사용할 수 있는 조건 영역.

빛에 반응해 용해 특성이 변하는 감광성 재료로, 웨이퍼 위에 얇게 도포되어 노광·현상 후 식각 마스크 역할을 하는 패턴을 만든다.

빛의 한 주기에서 다음 주기까지의 공간적 길이. 리소그래피에서는 파장이 짧을수록 더 작은 패턴을 구분하는 데 유리하다.

빛의 한 주기에서 다음 주기까지의 공간적 길이. 리소그래피에서는 파장이 짧을수록 더 작은 패턴을 구분하는 데 유리하다.