레지스트 콘트라스트
Resist contrast
레지스트 콘트라스트는 조건 차이에 따라 후 남는 막 두께가 얼마나 뚜렷하게 달라지는지를 나타내는 특성이다.
노광은 감광막에 빛을 조사해 원하는 위치에 화학적 변화를 기록하는 과정이다.
용어 상세 ↗현상은 노광·후처리로 용해성이 달라진 감광막의 일부를 선택적으로 제거해 패턴을 드러내는 과정이다.
용어 상세 ↗설명
반응의 경계가 분명하면 남길 영역과 제거할 영역을 구별하기 유리하다. 다만 실제 패턴은 광학적 상과 재료의 반응· 특성이 결합한 결과이다.
현상은 노광·후처리로 용해성이 달라진 감광막의 일부를 선택적으로 제거해 패턴을 드러내는 과정이다.
용어 상세 ↗예시
콘트라스트를 사진의 밝기 차이와 같은 의미로만 보지 않는다. 이 어떤 조건에서 남고 사라지는지를 나타내는 공정 특성이다.
포토레지스트는 빛에 반응해 현상액에 대한 용해성이 달라지는 감광 재료이다.
용어 상세 ↗구분
재료의 반응 구별 능력과 광학계의 패턴 전달 능력을 연결한다.