시스와 바이어스
Sheath and substrate bias
시스는 와 표면 사이에 전위 차이가 형성되는 경계 영역이며, 기판 바이어스는 기판 쪽 전위를 제어하는 조건이다.
설명
양이온은 이 경계의 전기장에 의해 표면 쪽으로 가속될 수 있다. 이온의 입사 에너지와 방향 분포가 바닥 제거와 측벽 형상에 영향을 준다.
예시
를 많이 만드는 것과 기판에 들어오는 이온 에너지를 높이는 것은 같은 조절이 아니다. 장비 구조에 따라 두 작용의 연결 정도도 달라진다.
구분
반응종 생성과 표면에 전달하는 에너지를 나누어 생각한다.